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为抢攻AI数据中心需求,铠侠2026年将在岩手北上工厂开始生产第10代NAND Flash,其堆叠数从现行第8代的218层增加至332层,每单位面积的存储容量提升59%、数据传输速度改善33%,能耗也会有所降低。
关键词: 2026 生产 NANDFlash 332